预防医学就业薪水多少:常见内存芯片命名

常见内存芯片命名  

三星（Samsung）内存
具体含义解释：
例：SAMSUNG
K4S283232E-TC60      SDRAM
K4H280838B-TCB0     DDR
K4T51163QE-HCE6    DDR2
K4B1G164E-HCE7      DDR3
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。9代表NAND FLASH
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 

Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY57V281620FTP-H     H57V2562GTR-75C(新版） SDRAM     
HY5DV641622AT-36     H5DU5162ETP-E3C             DDR
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
HY5PS121621BFP-C4    H5PS5162FFR-25C              DDR2
HY5TQ1G163ZNFP-G8    H5TQ1G163BFR-12C        DDR3
　　1、HY代表是现代的产品
　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM，5P=DDR2SDRAM,   5T=DDR3SDRAM)； 27=NAND FLASH
　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　Q=1.8V 
　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef
　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
　　7、I/O界面：1:SSTL_3、　2:SSTL_2
　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
　　10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
　　11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、　K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒 
 
Micron（美光） 
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 
含义： 
MT——Micron的厂商名称。 
48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 47=DDR2
LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 
A2——内存内核版本号。 
TG——封装方式，TG即TSOP封装。 
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。 


Infineon（英飞凌）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。 

KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 


Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
        1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM　
　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ 

Mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns

NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
主要含义：
NT 5T U   256T8   B  U   25C
1    2    3       4       5    6     7
1：NANYA TECHNOLOGY
2:    Product   Family
      5S=SDRAM   、5D=DDR SDRAM  5T=DDR2 SDRAM    5C=DDR3 SDRAM
3:   Interface&Power(vdd&vddg)
       V=LVTTL(3.3V-3.3V) E=LVTTL(2.5V-2.5V)  S=SSTL-2(2.5V-2.5V)  M=LVTTL(1.8V-1.8V)
        U=SSTL-18(1.5V-1.5V)  B=SSTL-15(1.5V-1.5V)   A=SSTL-18(2.0V-2.0V)
4:   Organization(Depth.Width)
        M=MONO      T=DDP
    256MB=64M4=32M8=16M16
    512MB=128M4=64M8=32M16
    1GB=256M4=128M8=64M16
    2GB=512T4=256T8
5:     DEVICE   VERSION
       A=1st   version     B=2nd   version      C=3rd     D=4tn     F=5tn
6:    PACKAGE    CODE
     Green   +Halogen   Free
     S=TSOP  II    G=DDR1BGA/DDR284-BALLBGA     E=60-BALLBGA   T=68-BALLBGA
     M=92      U=71    Y=63     N=78    P=96   T=SDR54-pin    TSOPII/DDR66pin  TSSOPII
7:   Speed
     SDRAM
    75B=PC-133-3-3-3   6K=PC-166-3-3-3
   DDR2  SDRAM
   75B=DDR266    6K=DDR333    5T=DDR400
   DDR2    SDRAM
  5A=DDR2-400-3-3-3    37B=DDR2-533-4-4-4     3C=DDR2-677-4-4-4
  25C/AC=DDR2-800-5-5-5     25D/AD=DDR2-800-6-6-6    BE=DDR2 1066-7-7-7
  DDR3  SDRAM
AC=DDR3-800-5-5-5     AD=DDR3-800-6-6-6    BE=DDR3-800-7-7-7    BF= DDR3-1066-8-8-8
CF=DDR3-1033-8-8-8    CG=DDR3-1033-9-9-0