黑人用中文骂人:常见内存型号及部分内存条的真假辨别？

常见内存型号及部分内存条的真假辨别？

常见内存型号

DDR=Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器：
　　严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

什么是 DDR1?
　　有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
　　DDR1规格
　　DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）

什么是 DDR2?
　　DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

什么是DDR3？
 DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
　　(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
　　(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
　　(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
　　(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
　　目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

  

DDR3与DDR2的区别？

1、逻辑Bank数量       DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages）
       DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length）
        由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 3、寻址时序（Timing）
        就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 4、新增功能——重置（Reset）
        重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 5、新增功能——ZQ校准
        ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 6、参考电压分成两个
        对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。 7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
        为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
        这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。 9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
        这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。  

怎么辨别部分内存条的真假？

金士顿：在新的“数码凹版”防伪标中，采用了人民币防伪技术的其中两种，即“凹版防伪”和“纹理防伪”，以提高对产品防伪能力，把最先进的防伪技术用于内存上，通过最简单的辨别方法就可识别真假。凹凸版防伪技术是人民币纸币上采用的特有印刷技术，使用者通过触摸印刷图案有明显的凹凸手感。全新的“纳米折光”防伪标的最大好处就是无需任何第三方鉴别工具，不用电话不用短信，仅仅通过用户目测，就可以在第一时间立刻准确的辨别金士顿产品真伪。“纳米折光”防伪标采用了业界独一无二的纳米玻璃微晶折射光线的技术，在不同的光线角度下展现不同的文字及图案，有些类似传统的激光全息防伪标。但与传统激光标不同的是，“纳米折光”标绝无伪造的可能。

三星：1. 产品标签：三星金条的型号标签位于内存产品的左起第一、二颗粒位置，为白色特殊纸张的贴纸，无法轻易完整揭下，印有产品的型号、容量、工作频率。 

2. 防伪标签：三星金条的防伪标签位于内存产品的右起第二颗粒位置上，金色的雷射标签上印有“三星金条”的LOGO。 

3. 芯片光泽：原装原厂的三星内存---三星金条芯片表面一般都很有质感，要么有光泽或荧光感，要么经过了哑光。 

4. 看PCB板：三星金条的PCB表面应光洁、色泽发灰、元件焊接整齐、焊点均匀而有光泽，边缘整齐而无毛边，同时还印有“Samsung”LOGO。 

5.光亮的金手指：三星金条的金手指要光亮，不能有发白或发黑的现象，发白是镀层质量差的表现，发黑是磨损和氧化的结果。 

6.原厂三星金条采用透明大盒包装，包装内附有三星金条说明书和全国首家推出的电子保修卡！而劣质的三星内存则没有！ 

当然，还有一样少不了的就是800电话了，还是老话，不要嫌麻烦，一般卖假货的奸商会用各种理由不让你在他那里打800电话，一些粗心的用户贪图方便就中了他们的圈套了。 

现代：首先真的现代内存条上贴的是原厂标签，而假的是普通贴纸；真的现代内存芯片在整条电路上的排列是无间隙排列，假的则有明显间隔；真的现代内存芯片从背面可以看到圆形凹槽，假的现代内存芯片背面则是三个呈直线排列的圆形标记。真的现代内存芯片真芯片左下角有一个圆形凹槽，右下角也有一排稍暗的印字，这些特征假芯片都没有。真的现代内存芯片上的字迹清楚，而假内存芯片上的字迹边缘不清晰，有的有毛刺。购卖时只要仔细观察，应该可以辨别出来。