长征七号直播:多晶硅概念股

单晶硅、多晶硅、非晶硅三种太阳能电池介绍
单晶硅太阳能电池

　　硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23%，是大值可达23．3％。Kyocera公司制备的大面积（225cm2）单电晶太阳能电池转换效率为19．44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cmX2cm）转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cmX5cm）转换效率达8.6%。

　　单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。

　　多晶硅薄膜太阳能电池

　　通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350－450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。

　　化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZSi衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19％，日本三菱公司用该法制备电池，效率达16.42%。

　　液相外延（LPE）法的原理是通过将硅熔融在母体里，降低温度析出硅膜。美国Astropower公司采用LPE制备的电池效率达12．2％。中国光电发展技术中心的陈哲良采用液相外延法在冶金级硅片上生长出硅晶粒，并设计了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新型太阳能电池，称之为“硅粒”太阳能电池，但有关性能方面的报道还未见到。

　　多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。

非晶硅薄膜太阳能电池

 

　　开发太阳能电池的两个关键问题就是：提高转换效率和降低成本。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得到迅速发展，其实早在70年代初，Carlson等就已经开始了对非晶硅电池的研制工作,近几年它的研制工作得到了迅速发展,目前世界上己有许多家公司在生产该种电池产品。

　　非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV,使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于：①它把不同禁带宽度的材科组台在一起，提高了光谱的响应范围；②顶电池的i层较薄，光照产生的电场强度变化不大，保证i层中的光生载流子抽出；③底电池产生的载流子约为单电池的一半，光致衰退效应减小；④叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的。

　　非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有很多，其中包括反应溅射法、PECVD法、LPCVD法等，反应原料气体为H2稀释的SiH4，衬底主要为玻璃及不锈钢片，制成的非晶硅薄膜经过不同的电池工艺过程可分别制得单结电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展：第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到13％，创下新的记录；第二.三叠层太阳能电池年生产能力达5MW。美国联合太阳能公司（VSSC）制得的单结太阳能电池最高转换效率为9．3%，三带隙三叠层电池最高转换效率为13％。

　　上述最高转换效率是在小面积（0．25cm2）电池上取得的。曾有文献报道单结非晶硅太阳能电池转换效率超过12．5％，日本中央研究院采用一系列新措施，制得的非晶硅电池的转换效率为13．2％。国内关于非晶硅薄膜电池特别是叠层太阳能电池的研究并不多，南开大学的耿新华等采用工业用材料，以铝背电极制备出面积为20X20cm2、转换效率为8．28％的a－Si/a－Si叠层太阳能电池。

　　非晶硅太阳能电池由于具有较高的转换效率和较低的成本及重量轻等特点，有着极大的潜力。但同时由于它的稳定性不高，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

　　一、国际多晶硅产业概况

　　当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。

　　多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。
　
　　1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增长了17倍。专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一，世界各国太阳能电池产量和构成比例见表1。

　　据悉，美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW，日本计划2010年达到5000MW，欧盟计划达到6900MW，预计2010年世界累计安装量至少18000MW。

　　从上述的推测分析，至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上，表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道，世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨，半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为 15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。

　　据日本稀有金属杂质2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年， 2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约 1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25％，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。

　　世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000 吨。 单晶硅与多晶硅的应用和区别1单晶硅与多晶硅的应用和区别

　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

　　在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

　　从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。

　　多晶硅与单晶硅的差别

　　请问多晶硅与单晶硅的差别是什么?国内有那些厂家在生产这两种产品?

　　多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。  

单晶硅和多晶硅的区别

2009-03-18 21:54:22|  分类： 硅料-硅棒-硅片 |  标签： |字号大中小 订阅

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅
国内的多晶硅单价主要看纯度，纯度在9个9的很少，价格应该在2500以上了！详细价格不定，
单晶硅生产工艺主要有两种，一种是直拉法，一种是区熔法。工艺的介绍也可以在网上找得到。
单晶硅片的单价是论片算，不会按吨算的，这里还要区分是太阳能级还是IC级，这里我只知道关于6寸太阳能级硅片，每片价格在53元左右
单晶硅的制造方法和设备
1、一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
2、单晶硅生产装置
3、制造单晶硅的设备
4、单晶硅直径测定法及其设备
5、单晶硅直径控制法及其设备
【单晶硅】
英文名： Monocrystalline silicon
分子式： Si
硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。
近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。



【多晶硅】
polycrystalline silicon
性质：灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
一、国际多晶硅产业概况
当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。
多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。
1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增长了17倍。专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。
据悉，美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW，日本计划2010年达到5000MW，欧盟计划达到6900MW，预计2010年世界累计安装量至少18000MW。从上述的推测分析，至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上，表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道，世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨，半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。
据日本稀有金属杂质2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年，2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25％，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。
世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000吨。
国际多晶硅主要技术特征有以下两点：
（1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。
（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
二、国内多晶硅产业概况
我国集成电路的增长，硅片生产和太阳能电池产业的发展，大大带动多晶硅材料的增长。
太阳能电池用多晶硅按每生产1MW多晶硅太阳能电池需要11－12吨多晶硅计算，我国2004年多晶、单晶太阳能电池产量为48.45MW，多晶硅用量为678吨左右，而实际产能已达70MW左右，多晶硅缺口达250吨以上。到2005年底国内太阳能电池产能达到300MW，实际能形成的产量约为110MW，需要多晶硅1400吨左右，预测到2010年太阳能电池产量达300MW，需要多晶硅保守估计约4200吨，因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加，见表3。
2005年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，都不能满负荷生产，主要原因是多晶硅供给量不足所造成的。预计多晶硅生产企业扩产后的产量，仍然满足不了快速增长的需要。
2005年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为10448吨，而2005年太阳能用硅材料需求量约为22881吨，如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的65%计，则太阳能电池用多晶硅需求量约为14873吨，这样全球太阳能电池用多晶硅的市场缺口达4424吨。2005年半导体用多晶硅短缺6000吨，加上太阳能用多晶硅缺口4424吨，合计10424吨，供给严重不足，导致全球多晶硅价格上涨。目前多晶硅市场的持续升温，导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划，根据来自国际光伏组织的统计，至2008年全球多晶硅的产能将达49550吨，至2010年将达58800吨。预计到2010年全球多晶硅需求量将达85000吨，缺口26200吨。从长远来看，考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能产业的大力支持，需求将持续增长。根据欧洲光伏工业联合会的2010年各国光伏产业发展计划预计，届时全球光伏产量将达到15GW（1GW=1000MW），设想其中60%使用多晶硅为原材料，如果技术进步每MW消耗10吨多晶硅，保守估计全球至少需要太阳能多晶硅5万吨以上。
我国多晶硅工业起步于五、六十年代中期，生产厂多达20余家，生由于生产技术难度大，生产规模小，工艺技术落后，环境污染严重，耗能大，成本高，绝大部分企业亏损而相继停产和转产，到1996年仅剩下四家，即峨眉半导体材料厂（所），洛阳单晶硅厂、天原化工厂和棱光实业公司，合计当年产量为102.2吨，产能与生产技术都与国外有较大的差距。
1995年后，棱光实业公司和重庆天原化工厂相继停产。现在国内主要多晶硅生产厂商有洛阳中硅高科技公司、四川峨眉半导体厂和四川新光硅业公司、到2005年底，洛阳中硅高科技公司300吨生产线已正式投产，二期扩建1000吨多晶硅生产线也同时破土动工，河南省计划将其扩建到3000吨规模，建成国内最大的硅产业基地。四川峨眉半导体材料厂（所）是国内最早拥有多晶硅生产技术的企业，2005年太阳能电池用户投资，扩产的220吨多晶硅生产线将于2006年上半年投产，四川新光硅业公司实施的1000吨多晶硅生产线正在加快建设，计划在2006年底投产，此外，云南、扬州、上海、黑河、锦州、青海、内蒙、宜昌、广西、重庆、辽宁、邯郸、保定、浙江等地也有建生产线设想。
三、行业发展的主要问题
同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面：
1、产能低，供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。
2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模在2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。
3、工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力。
4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。
5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。
6、地方政府和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐忧。
四、行业发展的对策与建议
1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国家相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。
2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。
3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及前瞻性研究，建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系，获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。
4、政府主管部门加强宏观调控与行业管理，避免低水平项目的重复投资建设，保证产业的有序、可持续发展。
我国从事半导体硅材料生产企业概况:
我国从事半导体硅材料生产的企业总共40余家.截止06年销售额超过一亿元的企业已达17家.
1,河北宁晋单晶硅基地
2,有研半导体材料股份公司
3,洛阳单晶硅有限责任公司/洛阳中硅高科技有限公司
4,无锡华润华晶微电子有限公司
5,宁波立立电子股份有限公司
6,上海合晶硅材料有限公司
7,上海申和热磁公司
8,娥眉半导体材料厂
9,杭州海纳半导体有限公司
10,万向硅峰电子股份有限公司
11,锦州新日硅材料(华昌电子材料/华日硅)公司
12,天津环欧半导体技术有限公司
13,常州亿晶电子科技有限公司
14,常州天合光能有限公司
15,江苏顺大半导体发展有限公司
16,新疆新能源股份有限公司
17,南京国盛电子有限公司
这些企业中供应半导体硅抛光片的有宁波立立电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、无锡华润华晶微电子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、上海申和热磁公司等-----changaiyin
单多晶硅国内含税价格
单晶硅棒2600元/公斤,多晶硅棒2400元/公斤-----changaiyin

----------------------------------------------------------------
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是目前亚洲规模最大的太阳能多晶硅片生产企业。工厂坐落于江西省新余市经济开发区，专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业，拥有国际最先进的生产技术和设备。公司注册资金11095万美元，总投资近3亿美元。2006年4月份投产， 7月份产能达到100兆瓦，8月份入选“RED HERRING亚洲百强企业”，10月份产能达到200兆瓦，被国际专业人士称为“LDK速度奇迹”。荣获“2006年中国新材料产业最具成长性企业”称号。 目前公司正致力于发展成为一个“世界级光伏企业”。
2007年6月1日，赛维LDK成功在美国纽约证交所上市，成为中国企业历史上在美国单一发行最大的一次IPO；赛维LDK是江西省企业有史以来第一次在美国上市的企业，是中国新能源领域最大的一次IPO。

该公司1.5万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动，该项目总固定资产投资120亿元以上，预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产能设计规模最大的项目之一。

　　据悉，该项目计划首期在2008年底前建成投产，形成6000吨太阳能级硅料的年生产能力；2009年项目全部建成投产后，将形成1.5万吨产能，从而使该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生产企业。

　　当地有关人士表示，该项目的实施，不仅可以有效缓解国内光伏行业发展中遭遇的原料短缺等瓶颈制约，而且可以有力提升我国光伏产业的综合竞争力。
国际多晶硅主要技术特征有以下两点：

（1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。

（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。

二、国内多晶硅产业概况

我国集成电路的增长，硅片生产和太阳能电池产业的发展，大大带动多晶硅材料的增长。

太阳能电池用多晶硅按每生产1MW多晶硅太阳能电池需要11－12吨多晶硅计算，我国2004年多晶、单晶太阳能电池产量为48.45MW，多晶硅用量为678吨左右，而实际产能已达70MW左右，多晶硅缺口达250吨以上。

到2005年底国内太阳能电池产能达到300MW，实际能形成的产量约为110MW，需要多晶硅1400吨左右，预测到2010年太阳能电池产量达300MW，需要多晶硅保守估计约4200吨，因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加，见表3。

2005年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，都不能满负荷生产，主要原因是多晶硅供给量不足所造成的。预计多晶硅生产企业扩产后的产量，仍然满足不了快速增长的需要。

我国多晶硅工业起步于五、六十年代中期，生产厂多达20余家，生由于生产技术难度大，生产规模小，工艺技术落后，环境污染严重，耗能大，成本高，绝大部分企业亏损而相继停产和转产，到1996年仅剩下四家，即峨眉半导体材料厂（所），洛阳单晶硅厂、天原化工厂和棱光实业公司，合计当年产量为102.2吨，产能与生产技术都与国外有较大的差距。

1995年后，棱光实业公司和重庆天原化工厂相继停产。现在国内主要多晶硅生产厂商有洛阳中硅高科技公司、四川峨眉半导体厂和四川新光硅业公司、到2005年底，洛阳中硅高科技公司300吨生产线已正式投产，二期扩建1000吨多晶硅生产线也同时破土动工，河南省计划将其扩建到3000吨规模，建成国内最大的硅产业基地。四川峨眉半导体材料厂（所）是国内最早拥有多晶硅生产技术的企业，2005年太阳能电池用户投资，扩产的220吨多晶硅生产线将于2006年上半年投产，四川新光硅业公司实施的1000吨多晶硅生产线正在加快建设，计划在2006年底投产，此外，云南、扬州、上海、黑河、锦州、青海、内蒙、宜昌、广西、重庆、辽宁、邯郸、保定、浙江等地也有建生产线设想。

三、行业发展的主要问题

同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面：

1、产能低，供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。

2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模在2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。

3、工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力。

4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。

5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。

6、地方政府和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐忧。

四、行业发展的对策与建议

1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国家相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。

2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。

3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及前瞻性研究，建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系，获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。

4、政府主管部门加强宏观调控与行业管理，避免低水平项目的重复投资建设，保证产业的有序、可持续发展。
下面是单晶硅和多晶硅的一点资料 ：
多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％


单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。  硅的制取顺序是：二氧化硅矿石--〉工业硅--〉多晶硅--〉单晶硅。单晶硅是用多晶硅经单晶炉拉制而成的，也有用区熔法制取单晶硅的。但是区熔单晶硅的位错密度较大。所以半导体器件多用拉制的单晶硅作原始材料。
注意，多晶硅不是用单晶硅制取的。
高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料，硅纯度要求99.999％。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。

单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等，处处离不开单晶硅材料；在高科技领域，航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造，单晶硅同样是必不可少的原材料。

生产多晶硅的上市公司有哪些？

1．南玻a（000012）：
    总股本/流通股：118796万股/38746万股a股、44858万股b股；
    2006年10月已在北宜昌开工建设总投资高达60亿元的多晶硅项目，规划占地面积为1500亩，一、二、三期工程统一规划布局，总规模为年产5000吨高纯多晶硅、450兆瓦太阳能电池组件，年销售收入约100亿人币。其中，一期工程拟投资1.5亿美元，建设年产1500吨高纯多晶硅生产基地，占地约500亩，包括太阳能级和电子级高纯多晶硅材料及太阳能硅片等产品，建设周期约为18个月。南玻集团宜昌硅材料基地是由南玻与香港华仪有限公司、宜昌力源科技开发有限公司同投资建设的以生产高纯多晶硅为主的新材料项目，南玻集团绝对控股。该项目已被列入北省“十一五”三大重点项目之一。随着宜昌南玻高纯多晶硅材料项目的开工建设，南玻集团将在全球多晶硅产业乃至整个太阳能产业中占有重要一席，并将形成以多晶硅材料为龙头的“多晶硅材料－硅片－电池片－太阳能电池”完整的产业链。
2．江苏阳光（600220）：
    总股本/流通股：96397万股/63686万股；
    控股65％的宁夏阳光硅业有限公司多晶硅项目一期1500吨生产线已于2007年4月在宁夏石嘴山正式开工建设，一期生产线投资15亿元，计划2008年年底竣工投产。公司拟总投资40亿元人币，建成年产4500吨多晶硅的能力，建设周期为4年，分二期投资建设，一期生产线达产后，2009年启动二期3000吨生产线的建设，并计划于2010年12月实现年产多晶硅4500吨的规模。宁夏阳光硅业有限公司系由江苏阳光、宁夏东方有色金属集团有限公司、宁夏电力投资集团有限责任公司三方同出资组建的主营多晶硅、单晶硅原料和产品以及太阳能电池等制品的高新技术企业，其出资比例分别为65％、25％和10％。该项目技术和工程设计合作方为中国成达工程公司。成达公司始建于1955年，是以设计为主体实行工程总承包的国际型工程公司。2002年开始承担的四川新光硅业公司1000吨／年项目的设计任务，该项目已于2007年2月26日成功投产，产品质量达到电子级，这是我国首套千吨级多晶硅工业化装置，它的投产标志着我国已掌握并拥有了千吨级多晶硅的设计和生产技术。
3．特变电工（600089）：
   总股本/流通股：85404万股/57619万股；
   该公司2008年初与峨嵋半导体研究所、特变集团、上海宏联公司签署了《特变电工多晶硅公司出资协议书》，拟同投资设立特变电工多晶硅有限公司，注册资本4亿元，公司拟投资3亿元，占多晶硅公司注册资本的75％，多晶硅公司拟建设1500吨/年太阳能级多晶硅项目。多晶硅公司的技术由峨嵋半导体以技术许可及服务方式提供，多晶硅公司向峨嵋半导体支付技术许可及技术服务费合计8000万元人币。作为上述投资的条件之一，公司将与峨嵋半导体材料厂以项目合作方式同在乐山建设120兆瓦太阳能光伏产业项目，该项目固定资产投资10亿元，公司向该项目提供1亿元人币的建设资金，并对该资金支出进行监管。
4．航天机电（600151）：
   总股本/流通股：74854万股/29872万股；
   2007年5月，该公司全资子公司神州新能源在内蒙古呼和浩特金桥经济开发区投资设立了注册资金1亿元的内蒙古神州硅业有限责任公司，并拟在内蒙古呼和浩特建设1500吨/年多晶硅项目，总投资约18亿元。
　后通过增资扩股，已引进上海航天工业总公司作为硅业公司的股东，上海航天工业总公司以现金出资方式向硅业公司增资1.6亿元。本次增资后，硅业公司的注册资本达到2.6亿元，上海航天工业总公司持有61.54％的股份，神州新能源持有38.46％的股份。上海航天工业总公司目前为航天机电的控股股东。
   此外，该公司控股70％的上海太阳能科技有限公司已与德国Conergy AG公司签订了太阳能光伏组件供货合同，合同总金额7800万欧元。太阳能公司成立于2000年，主要从事地面太阳电池及光伏发电系统产品的研发。目前，年组件生产能力达到80兆瓦，并规划在“十一五”期间投入3.2亿元建设世界一流的太阳能工程技术中心，在此基础上建成100兆瓦太阳电池组件和100兆瓦太阳电池单体生产线。太阳能公司目前已成为国内最大的太阳能产品技术研发和生产销售公司，不仅建造了全国第一座１０千瓦太阳能电站，而且建造了全国最大的太阳能设施生产新厂房。
5．天威保变（600550）：
   总股本/流通股：73000万股/35770万股； 
   该公司的控股子公司天威英利拥有全套的太阳能硅片、电池和组件生产线，因此天威保变是目前国内唯一具备完整产业链结构的光伏企业。该公司目前持股35.66％的四川新光硅业科技有限责任公司，其在建项目投产后可年产多晶硅1260吨。新光硅业成立于2005年10月，是四川省西部大开发的一号工程，其承建的1260吨/年多晶硅项目是原国家发计委唯一批准建设的高技术示范性产业化项目，项目概算总投资约12.9亿元，已于2007年2月26日投料试车成功，并计划2007年全年累计生产200吨。四川新光硅业的注册资本为3.085亿元，其中四川投资集团原持有四川新光硅业38.9％的股份，为第一大股东，现已将股权全部转让给川投能源（600674）；天威保变持有其35.66％的股权，为其第二大股东。
    2007年12月，该公司与乐山电力签署了关于在乐山市新建3000吨/年多晶硅项目的《出资人协议》，投资组建了乐电天威硅业公司。，其注册资本为5亿元人币，实收资本为1亿元人币。其中该公司对其注册资本出资额24500万元、实收资本出资额4900万元，持股比例为49％。2008年2月，乐电天威硅业公司已与美国多晶硅设备工程公司签订了乐山3000吨/年多晶硅项目设备采购合同，合同总价款近4000万欧元。该多晶硅项目预计总投资22亿元。
    2007年12月，该公司还与四川省投资集团有限责任公司、四川岷江水利电力股份有限公司签署了关于在成都市新津新建3000吨/年多晶硅项目的《出资人协议》，三方在原四川川投硅业有限公司的基础上通过股东转让股权和增加注册资本的方式组建了天威四川硅业有限责任公司，天威硅业注册资本和实收资本分别为人币94500万元、47250万元，其中，该公司对其注册资本和实收资本的出资额分别为48195万元、24097.5万元，持股比例为51％。该项多晶硅项目预计总投资27亿元。
6．通威股份（600438）：
    总股本/流通股：68752万股/34337万股；
    2008年2月，该公司宣布出资1.91亿元收购四川永祥股份有限公司50％股权，成为了永祥公司的第一大股东，永祥公司的业务遂成为其“第二大主业”。  永祥公司主要资产包括了年生产能力为12万吨的pvc项目，以及利用pvc电石渣年产75万吨的水泥生产线（预计将于今年7月建成投产）；另控股60％永祥硅业（2007年2月已建成了年设计能力为5000吨的三氯氢硅及其系列产品生产线），同时100％地控股了四川永祥多晶硅有限公司（正在建设年产1000吨多晶硅项目）。
    永祥公司预计在2008年6月达产一期1000吨/年多晶硅项目，其3000吨生产线预计在2009年6月达产，公司的长远达产目标是10000吨/年。在达产3000吨以前，该公司称项目不需要融资。在2月24日进行的公司2008年投资者交流会上，其董事长刘汉元表示永祥一期1000吨多晶硅项目中，200吨实验生产线将于2008年3月底进行试生产，最迟6月份正式投产。而另一条800吨生产线将于2008年6月底完工，7月底投产。四川永祥10000吨多晶硅项目由一期1000吨生产线和二期3个3000吨生产线组成。在完成一期1000吨生产线后，二期首个3000吨生产线将很快上马。二期后两个3000吨生产线的建设用地将于3月中旬落实，计划分别在2009年初和年底完成两个3000吨生产线的投产。该公司董事长刘汉元认为多晶硅市场前景广阔，通威做多晶硅无论在人才、技术、市场、管理、成本都有领先优势，97％以上不会有太大问题。刘汉元还透露，到目前为止，四川永祥已与2家以上境外上市的国内企业签署了5年多晶硅采购的战略协议，预收现金2到3亿元。
    据介绍，在未来几年内，永祥股份最终将形成年产1万吨多晶硅、15万吨三氯氢硅、100万吨pvc、250万吨电石渣综合利用水泥的生产规模。
7．岷江水电（600131）：
    总股本/流通股：50413万股/31221万股；
    2007年12月，该公司和天威保变、川投集团签署了协议，对注册资本为1亿元的原四川川投硅业有限公司增资到9.45亿元并同时更名为天威四川硅业。其中发起人股东四川省投资集团有限责任公司持股为35％，天威保变持股51％，岷江水电以货币方式出资人币13230万元，持股14％。天威硅业的主要任务是投资建设新津3000吨/年多晶硅项目，项目拟定总投资约27亿元。除三方直接出资9.45亿元外，天威硅业将通过三方按出资比例提供担保向银行贷款或向股东融资17.55亿元。天威硅业项目预计建设期为2年，第5年达到其设计生产能力。
　　新津3000吨/年多晶硅项目的建设，主要将依托新光硅业，该公司将按市场规则提供相应的技术和工程建设支持，或由新光硅业负责项目承（代）建工作。岷江水电表示，新光硅业建设的1260吨/年多晶硅生产装置又引进了国外技术，目前已经投产，为项目的建设下了较为可靠的基础，但由于项目建设期和达产期较长，无法准确预计项目回收期和收益情况。
8．川投能源（600674）：
    总股本/流通股：49129万股/22430万股；
    因原拟定的以新光硅业38.9％股权为目标资产而进行非公开发行的条件不成熟，该公司2007年12月确定以自筹资金和持有的四川巴蜀江油燃煤发电有限公司（注册资本为47600万元，公司出资6000万元，占12.6％股权；目前该公司对其投资的账面余额为3489万元）全部股权作为支付对价，收购控股股东四川省投资集团有限责任公司持有的新光硅业38.9％股权。本次股权收购所涉及资产以2007年10月31日为评估基准日，上述股权作价均按评估值协商确定，初步作价为人币38696万元。收购完成后，该公司将持有新光硅业38.9％的股权。
    新光硅业承建的1260吨/年多晶硅项目是原国家计委以有关文件唯一批准建设的高技术示范性产业化项目，是目前国家正式批准立项建设的中国最大的多晶硅生产项目。项目概算总投资约12.9亿元人币，并已于2007年2月26日投料试车成功。据介绍，2007年新光硅业生产了228吨多晶硅，主业利润达8000万元，加上其他非经营性收入，新光硅业利润可达1亿。川投能源董事长黄顺福表示，新光硅业2008年净利润达到此前预测的5亿元相当有把握。
　　新光硅业的主要产品多晶硅是太阳能电池的核心原料，而江浙一带已经上马了许多太阳能光伏产业的后端项目，对多晶硅的需求较大，由此判断，新光硅业的高利润现状将可维持几年时间。该公司大股东还承诺新津项目也将适时注入。2007年12月底，总投资达27亿元的新光硅业二期新建3000吨/年多晶硅项目在成都新津开工，其中川投集团持股35％。川投集团承诺将在条件成熟时，以适当的方式将新津项目按法定的程序注入川投能源。
9．乐山电力（600644）：
    总股本/流通股：32648万股/24386万股；
    该公司于2007年12月1日与天威保变签署了《新公司出资人协议》，双方约定同投资组建新公司，将负责建设和经营乐山3000吨/年多晶硅项目，该项目预计总投资约22亿元。新公司注册资本为5亿元人币，其中公司以现金方式自筹资金出资25500万元，占新公司注册资本的51％。乐山项目投资期预计为两年，第三年投产，第四年当年生产负荷达到设计能力的80％，第五年直至以后生产负荷为100％。
    2008年2月，乐电天威硅业科技有限责任公司已与多晶硅设备工程公司（在美国加州注册）签订了3000吨/年多晶硅项目的设备采购合同。根据该份合同，多晶硅设备工程公司将向买方提供年产能为3200吨的还原炉、热氢化炉、配套的电源调整控制柜，包括（但不限于）其备品备件、技术资料、以及买方现场的冷调试（单机调试）、热调试（系统调试）和其他技术服务，合同总价款近4000万欧元。
    此外，乐山电力还参股了四川新光硅业科技有限责任公司，投资250万元，持股比例为0.80％。
10．桂东电力（600310）：
    总股本/流通股：15675万股/6072万股；
  　2007年媒体曾报道，按照广西壮族自治区和贺州市的发展规划，该公司将和广西星光企业集团公司合作生产1000吨/年高纯度多晶硅。广西星光企业集团公司是国家大型企业，其下属的贺州市星光硅业有限公司是中国广西金属硅生产企业，同时，广西及贺州地区有丰富的用于生产硅的石英石资源，该公司与其合作生产多晶硅将具有矿产资源、电力供应、水力资源等多方面的优势。但其项目的具体进展情况不明。
    此外，银星能源（000862）也曾宣布投资产能1000吨/年太阳能电池等级多晶硅项目，但无进一步的信息。
    从上述十个上市公司从事多晶硅项目的简要进展情况看，可以判断近期应当关注的从事多晶硅项目的五个主要公司是川投能源、天威保变、通威股份、南玻a、江苏阳光，长期应当关注的是通威股份、天威保变、南玻a，航天机电，其原因除了多晶硅的生产规模之外，还在于其今后产业链的是否完整与完善。

11、其它从事太阳能光伏产业的上市公司
除了上述涉足多晶硅即上产品的上市公司外（部分也从事下产品的生产），其它涉足光伏产业下产品的上市公司主要有：有研硅股（600206）、交大南洋（600661）、风帆股份（600482）、力诺太阳（600885）等。