跟团深圳南澳一日游:三栅晶体管制作技术难点
来源:百度文库 编辑:九乡新闻网 时间:2024/04/29 22:06:42
制作三栅晶体管的技术难点:
Gartner的分析报告称要实现Finfet技术,需要克服许多制造技术方面的难关。比如要制造出Finfet晶体管,要求光刻机的图像对准性能较好。“过去人们认为只有采用EUV光刻机才有可能制造出Finfet晶体管,不过由于ASML或者尼康生产的193nm液浸式光刻机具有极高的套准精度(overlay),因此也有可能采用这种光刻机制造出Finfet晶体管。”
Finfet侧墙掺杂密度控制示意图
另外,尽管采用PIII(Plasma-immersion ion implantation)离子注入工艺可以实现,但如何保证Fin两侧漏源极侧墙部位从上到下杂质掺杂(目的是减小漏源极的电阻)密度的均匀性则是另外一个Finfet制造的难题。
此外,制造Finfet结构时蚀刻Fin时如何保证Fin侧壁的粗糙度控制在一定的水平之内则是另一个难题。
Gartner的分析报告称要实现Finfet技术,需要克服许多制造技术方面的难关。比如要制造出Finfet晶体管,要求光刻机的图像对准性能较好。“过去人们认为只有采用EUV光刻机才有可能制造出Finfet晶体管,不过由于ASML或者尼康生产的193nm液浸式光刻机具有极高的套准精度(overlay),因此也有可能采用这种光刻机制造出Finfet晶体管。”
Finfet侧墙掺杂密度控制示意图
另外,尽管采用PIII(Plasma-immersion ion implantation)离子注入工艺可以实现,但如何保证Fin两侧漏源极侧墙部位从上到下杂质掺杂(目的是减小漏源极的电阻)密度的均匀性则是另外一个Finfet制造的难题。
此外,制造Finfet结构时蚀刻Fin时如何保证Fin侧壁的粗糙度控制在一定的水平之内则是另一个难题。
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