西游记猪八戒京剧脸谱:深入理解功率MOSFET数据表中的各个参数(3) - OFweek电子工程网

来源：百度文库 编辑：九乡新闻网 时间：2024/04/29 15:17:07

深入理解功率MOSFET数据表中的各个参数

2011-03-25 15:59:47 文章来源：OFweek电子工程网 我来说两句
  • 导读: 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。
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    • 功率MOSFET  数据表  参数  

  • 　　如果加在MOSFET的Vgs低于温度稳定点（在IPD90N06S4-04中是Vgs《6.2V），此时的MOSFET是正温度系数的，就是說，ID的电流是随着结温同时增加的。在设计中，当应用在大电流的设计中时，应避免使功率MOSFET工作在在正温度系数区域。

    　　当Vgs超过温度稳定点（在IPD90N06S4-04中是Vgs》6.2V）， MOSFET是正温度系数的， 就是說，ID的电流是随着结温的增加是减少的。这在实际应用中是一个非常好的特性，特别是是在大电流的设计应用中时，这个特性会帮助功率MOSFET通过减少ID电流来减少结温的增加。

    　　

    　　EAS： 为了了解在雪崩电流情况下功率MOSFET的工作情况，数据表中给出了雪崩电流和时间对应的曲线，这个曲线上可以读出在相应的雪崩电流下，功率MOSFET在不损坏的情况下能够承受的时间。对于同样的雪崩能量，如果雪崩电流减少，能够承受的时间会变长，反之亦然。环境温度对于雪崩电流的等级也有影响，当环境温度升高时，由于收到最大结温的限制，能够承受的雪崩电流会减少。

    　　

    　　数据表中给出了功率MOSFET能够承受的雪崩能量的值。在次例子中，室温下的EAS=331mJ

    　　

    　　上表给出的只是在室温下的EAS，在设计中还需要用到在不同环境温度下的EAS，厂商在数据表中也会给出，如下图所示。

    　　

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