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辉钼新电子半导体材料概念股评述一览

辉钼新电子半导体材料概念股评述一览


辉钼新电子半导体材料概念股评述一览
辉钼的半导体材料实际比石墨烯还要先进和节能，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景，将对太阳能和军事等领域的发展产生极大的推进作用。
1.金钼股份.最大的钼类金属生产商.盈利能力随着钼矿受国家资源性保护而提高.盘面显示有新资金入场，中短线可以关注。
2.宏达股份.该股子公司投资100多亿元建设钼铜深加工项目，对比金钼股份的毛利率和收益率可知每年的净收益将至少达到10亿元，再对应现在的股本，每股收益大约为1元，市盈率不过15左右。
3.ST偏转.2010年5月18日，拟以除现金1亿元的其余全部资产与负债与陕西炼石矿业有限公司100％股权进行资产置换；差额部分由公司以2.24元/股向陕西炼石全体股东合计发行不超过29844万股购买。炼石矿业控股股东为张。炼石矿业拥有两个选矿厂，分别为上河钼矿选矿厂和新投资成立的石幢沟矿业选矿厂，选矿能力日处理能力合计为5000吨。上河钼矿选矿日处理能力2000吨；石幢沟矿业建成之后，选矿日处理钼矿石3000吨，年产钼精矿2006吨、铅精矿3960吨、硫精矿43164吨。
4.长征电气.我们针对现有公开披露的信息, 统计了公司两个采矿权和一个探矿权目前的储量情况, 采矿权方面,目前合计资源价值量为105.44亿元,目前估值基本属于矿业借壳公司的合理水平.不过, 通程公司拥有2.67万吨镍,4.2万吨钼储量,折合资源价值量为126.72亿,比现有两个采矿权资源价值量大一倍以上.
5.万好万家.实力雄厚 深藏不露.公司经过重组，变身为矿产资源丰富的有色金属企业，拥有大量的钼金属资源。国土资源部正准备将钼列入保护性开采矿种，对公司形成重大利好。有色金属资源置入脱胎换骨。天宝矿业置入钼、金、银、铁和锌权益储量分别为7.58万吨、7.39吨、2.53吨、3714.15万吨和28.72万吨。天宝矿业具备强大的找矿能力，未来资源仍有进一步增长的空间，公司目前的生产情况也对资源增长提出了强烈诉求。钼、金、铁锌齐发力。公司钼、金矿品位很高，盈利能力远超行业平均水平，目前是公司盈利主力，随着谢尔塔拉铁锌矿逐步投产，铁锌业务也将为公司贡献丰厚收益。未来精彩值得期待。天宝矿业致力于寻找大项目，目前收购标的众多，发展瓶颈在于资金。由于扩张意愿强烈，公司累积的净利润均用于各个生产项目的投资，融资平台对于公司发展至关重要。重组成功之后，未来资产注入预期非常强烈
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2010途安
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青铜长老

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.zl0423 { width:200px; float:right; margin-top:1px;} .zl0423 span { float:left; padding-top:4px;} 2楼 发表于 2011-02-21 20:23  石墨烯已out,又有新概念了——辉钼材料

辉钼可望成为下一代半导体材料中国质量资讯网 2011-02-17 08:17:58 新一期英国《自然·纳米技术》杂志日前刊登报告说，单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。 与现在广泛使用的硅材料相比，辉钼具有两个主要优点：一是达到同等效用的体积更小。只有0.65纳米厚的辉钼材料，电子在其中能像在2纳米厚的硅材料中那样自如移动，同时，现有技术还无法将硅材料制作得跟辉钼材料一样薄；二是能耗更低。据估计，辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。 （以上据新华电） 近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）纳米电子学与结构（LANES）实验室称，用一种名为辉钼（MoS2）的单分子层材料制造半导体，或用来制造更小、能效更高的电子芯片，在下一代纳米电子设备领域，将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。研究论文发表在1月30日的《自然?纳米技术》杂志上。 　　辉钼在自然界中含量丰富，通常用于合金钢或润滑油添加剂中的成分，在电子学领域尚未得到广泛研究。“它是一种二维材料，非常薄，很容易用在纳米技术上，在制造微型晶体管、发光二极管（LEDs）、太阳能电池等方面有很大潜力。”洛桑联邦理工学院教授安德列斯?凯斯说，他们将这种材料同硅以及当前主要用于电子和计算机芯片的富勒烯进行了对比。 　　同硅相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料。“在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的硅薄膜上一样容易。”凯斯解释说，“但目前不可能把硅薄膜做得像辉钼薄膜那么薄。” 　　辉钼的另一大优势是比硅的能耗更低。在固态物理学中，能带理论描述了在特定材料中电子的能量。在半导体中，自由电子存在于这些能带之间，称为“带隙”。如果带隙不太小也不太大，某些电子就能跳过带隙，能更有效控制材料的电子行为，开关电路更容易。 　　辉钼单分子层内部天然就有较大的带隙，虽然它的电子流动性较差，但在制造晶体管时，用一种氧化铪介质栅门就可使室下单层辉钼的运动性大大提高，达到富勒烯纳米带的水平。富勒烯没有带隙，要想在上面人为造出带隙非常复杂，还会降低其电子流动性，或者需要高电压。由于辉钼直接就有带隙，可以用单层辉钼制造间带通道场效
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黄金长老

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.zl0423 { width:200px; float:right; margin-top:1px;} .zl0423 span { float:left; padding-top:4px;} 3楼 发表于 2011-02-21 20:26  宏达,长征都不错...长征当时看好了没买只弄了100股..现在有20多个点..杯具呀