NAND Flash大容量存储器K9F1G08U的坏块管理方法
在进行数据存储的时候，我们需要保证数据的完整性，而NAND Flash大容量存储器K9F1G08U芯片由于工艺上问题，不可避免就会出现有的Block中就是某个位或某些位是块的，就是用块擦除命令也是无法擦除的，K9F1G08U数据手册也讲了坏块是存在的，对于K9F1G08U最多有20个坏块。如果数据存储到这个坏块中，就无法保证该数据存储的完整性。对于坏块的管理K9F1G08U数据手册也有它的方法去处理该坏块的方法，我根据实际经验总结出自己的一种方法。首先我们要定义一个坏块管理表：unsigned char BadBlockTable[128]，此数组可以存储1024个Block状态，即每一个字节存储8个Block状态。我们要存储一批数据到NAND Flash中去某个Block时，先执行Block擦除操作，然后分析该Block的1st Page和2st Page中的每个位是否全是FFH，如果全是FFH，则在BadBlockTable数组当前Block对应的字节位给置0，否则置1。如果是1表示当前的块是不能存储数据的，这时需要更换下一个Block来存储这些数据，这样我们重复上面的动作分析再进行分析是否可以存储数据，该块能存储就存储到该块中去。
具体实现的算法程序如下：
Flag=TRUE;
while(TRUE==Flag)
{
Erase_K9F1G08U_Block(K9F1G08U.HighAddress,K9F1G08U.LowAddress); Flag=Check_K9F1G08U_Block(K9F1G08U.HighAddress/64); if(TRUE==Flag)//is invalid block
{
BadBlockTable[K9F1G08U.HighAddress/512]|=
(1<<(K9F1G08U.HighAddress%8));
K9F1G08U.HighAddress+=64;//Point to Next Block
}
else// is valid block ,record to BadBlockTable
{
BadBlockTable[K9F1G08U.HighAddress/512]&=
~(1<<(K9F1G08U.HighAddress%8));
}
}
for(i=0;i<sizeof(BadBlockTable);i++)
Write_RAM(RAM_BANK_0,K9F1G08U_BAD_BLOCK+i,BadBlockTable[i]);
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