陈柏霖蒋雯丽吻戏视频:Polar Photovoltaics

来源:百度文库 编辑:九乡新闻网 时间:2024/05/05 16:54:00
非晶硅薄膜太阳电池技术简介
非晶硅太阳电池基本结构不是PN结而是PIN结。掺硼形成P区,掺磷形成N区,I为非杂质或轻掺B的本征层(因为非掺杂a-Si是弱N型)。重掺杂的P、N区在电池内部形成内建势,以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触,为外部提供电功率。I区是光敏区,光电导/暗电导比在105--106。此区中光生电子空穴是光伏电力的源泉。非晶硅结构的长程无序破坏了晶体硅光电子跃迁的选择定则,使之从间接带隙材料变成了直接带隙材料。对光子的吸收系数很高,可以将敏感谱域的光吸收殆尽。所以P/I/N结构的厚度可以做的很薄,a-Si电池的厚度取0.2~0.5μm,而作为死光吸收区的P、N层的厚度限制在0.01um量级。